汕头纳米晶铁芯发展趋势
所述的非晶纳米线包括各种非晶金属纳米线、非晶半导体纳米线、非晶绝缘体纳米线、非晶合金纳米线、非晶复合纳米线以及非晶同轴结构纳米线等。作为本发明的进一步改进,所述的步骤(1)中还包括通过调节电子束束斑尺寸和辐照时间,分别对裁剪纳米线前列的形状和自由端的长短进行控制调节。作为本发明的进一步改进,步骤(1)所述束斑尺寸为86±20nm、所述电流密度为52±23a/cm2。作为本发明的进一步改进,所述的步骤(2)中还包括通过调节电子束束斑相对于纳米线径向和轴向的辐照位置,分别控制纳米线弯钩的方向和位置。作为本发明的进一步改进,所述的步骤(2)中还包括对所述纳米线的进一步削尖处理。作为本发明的进一步改进,步骤(2)所述电子束束斑的尺寸为180±40nm、相应的电流密度为12±5a/cm2。作为本发明的进一步改进,步骤的(3)中还包括通过控制辐照时间,对键合线的长度或键合面积进行控制调节,以及纳米线的自我塑性变直过程。作为本发明的进一步改进,步骤(3)所述电子束束斑的尺寸为360±60nm、相应的电流密度为±。本发明的有益效果:本发明利用透射电镜中高能电子束有针对性辐照,实现了非晶纳米线的削尖、弯钩,并**终与多孔薄膜高质量键合在一起。三相非晶合金变压器的铁芯有四个框合并成大概相像三相五柱式有交叉铁扼接缝的结构,铁芯与绕组呈矩形剖面。汕头纳米晶铁芯发展趋势
而一个冲裁部件w的变形部13a的凸部相对而言容易嵌入另一个冲裁部件w的变形部13a的凹部。因此,位于比较容易变形的外周缘侧的一个冲裁部件w的变形部13a即使在与另一个冲裁部件w的变形部13a发生位置偏移的情况下,也容易与该另一个冲裁部件w的变形部13a结合。而且,由于在与冲裁部件w中的特别容易发生位移的副部1c对应的区域设置有变形部13a,因此能够用变形部13a使在层叠方向上相邻的该区域彼此牢固地结合。其结果为,通过利用变形部部分13使在层叠方向上相邻的冲裁部件w彼此适当地紧固,从而能够提高转子层叠铁芯1的精度。在本实施方式中,在冲头p3的前端面设置有按压突起p3a、p3b,当利用冲头p3冲裁电磁钢板es时,按压突起p3a按压对应的变形部13a,并且按压突起p3b按压对应的变形部14a。因此,能够更牢固地结合变形部13a彼此及变形部14a彼此。但是,当按压突起p3a的形状与变形部13a的凹部的形状大致一致时,则需要使按压突起p3a相对于对应的变形部13a高精度地定位。同样地,当按压突起p3b的形状与变形部14a的凹部的形状大致一致时,则需要使按压突起p3b相对于对应的变形部14a高精度地定位。但是,在本实施方式中,当利用冲头p3冲裁电磁钢板es时。汕头纳米晶铁芯发展趋势纳米晶软磁合金是指在非晶合金的基础上通过热处理获得的纳米晶结构的软磁合金,具有更加优异的软磁性能。
在层叠体中的中心孔的周围设置有沿着高度方向贯穿层叠体并延伸的多个磁体插入孔,作为主部,层叠体包含层叠体中的被多个磁体插入孔和中心孔包围的部分,作为呈岛状的副部,层叠体包含层叠体中的被各磁体插入孔和层叠体的外周面包围的部分,各副部利用连接部相对于主部一体地连结,变形部设置于冲裁部件中的与主部对应的区域,第二变形部设置于冲裁部件中的与副部对应的区域。在这种情况下,由于在冲裁部件中的与特别容易产生位移的副部对应的区域设置有第二变形部,因此能够用第二变形部牢固地结合在高度方向上相邻的该区域彼此。因此,即使在具有岛状的副部的转子层叠铁芯中,也能够进一步提高精度。例5.本公开的另一例的层叠铁芯的制造方法包括:利用冲头在带状的金属板上形成贯穿孔的步骤;利用第二冲头在金属板上形成至少一个变形部的步骤;利用第三冲头在金属板上形成至少一个第二变形部的步骤;利用第四冲头冲裁金属板而形成设置有贯穿孔、变形部以及第二变形部的多个冲裁部件的步骤;以及层叠多个冲裁部件构成层叠体的步骤。构成层叠体的步骤包括:以在高度方向上相邻的冲裁部件之间贯穿孔彼此重叠的方式层叠多个冲裁部件。
对真空炉内的纳米晶磁芯进行热处理,将真空炉的炉体温度由室温升温至480℃,之后保温60min;保温60min后,再次将温度由480℃升温至550℃并保温80min;保温80min后,将真空炉的炉体温度降至350℃之后,取出所制备的纳米晶磁芯半成品。其中,在炉体温度降至350℃之后,实验人员才可以取出纳米晶磁芯半成品,能够避免所制备的纳米晶磁芯半成品被氧化。可以理解的,在第二阶段中,实验人员将所制备的纳米晶磁芯半成品放置在横磁炉内;然后,对横磁炉内的纳米晶磁芯半成品进行热处理及磁处理,将横磁炉的炉温由室温升至400℃之后保温120min,同时,在保温的过程中施加磁场强度为1300gs的横向磁场;**终,在保温120min后,将横磁炉的炉温降至350℃之后取出所制备的纳米晶磁芯成品。其中,在炉温度降至350℃之后,实验人员才可以取出纳米晶磁芯成品,能够避免所制备的纳米晶磁芯成品被氧化以规格为30*20*10的纳米晶磁芯成品为例,常规磁芯与本实施例中纳米晶磁芯成品的性能对比如下:可以理解的,在高频环境下,相比于常规磁芯,本实施例中纳米晶磁芯成品的导磁率及q值更优异,进而该纳米晶磁芯成品应用于高频环境下拥有更好的滤波作用及更低的损耗。实施例二本实施例中。新型纳米晶软磁合金材料将 应用于电子工业领域,推动电子技术向高频、大 功率、小型化方向发展。
冲头p1的前端部将电磁钢板es向保持于模具垫板133的冲模133a内推出。由此可在电磁钢板es形成变形部13a。如图6的(b)所示,变形部14a也与变形部13a同样地,利用冲头p2(第二冲头)而形成。冲头p1的前端部的长度d1设定为比冲头p2的前端部的长度d2短。因此,变形部13a的突出量比变形部14a的突出量小。此外,长度d1可以是例如,长度d2可以是例如。以如下方式来进行从电磁钢板es冲出冲裁部件w的冲裁。即,如图7所示,当冲裁装置130基于来自控制器140的指示信号而动作时,冲孔模板134向模具垫板133下降,电磁钢板es被模具垫板133和冲孔模板134夹持。如果在该状态下冲裁装置130进一步动作,则冲头p3(第四冲头)穿过设置于冲孔模板134的贯穿孔134b并下降,冲头p3的前端部向保持于模具垫板133的冲模133b内插入。由此可利用冲头p3的前端部从电磁钢板es冲出冲裁部件w。如图8所示,在冲头p3的前端面设置有:多个按压突起p3a(第二按压突起)、以及多个按压突起p3b(按压突起)。按压突起p3a、p3b从该前端面向与该前端面交叉的方向突出。多个按压突起p3a分别设置在与设置于电磁钢板es的变形部13a对应的位置。多个按压突起p3b分别设置在与设置于电磁钢板es的变形部14a对应的位置。当前无线充电Qi标准的频率在100-200k之间,在此频率下,纳米晶的磁导率和钴基非晶的磁导率非常的接近。盐城纳米晶铁芯服务保障
居里温度高:纳米晶材料的居里温度达570℃,铁氧体的居里温度*180℃~200℃。汕头纳米晶铁芯发展趋势
进而能够令装设有该纳米晶磁芯成品的共模电感在高频环境中具有更好的滤波作用,也能够有效降低其损耗。具体实施方式为了更好的理解本发明,下面将结合一些实施例进一步阐述本发明的内容。各个不同实施例之间可以进行相互组合,以构成未在以下描述中示出的其他实施例。实施例一本实施例中,实验人员采用热处理方法加工处理纳米晶磁芯的具体步骤如下:步骤一、将待处理的纳米晶磁芯放置在真空炉内并抽真空;步骤二、温度由室温升温至480℃,并保温60min;步骤三、温度由480℃升温至550℃,并保温80min;步骤四、将真空炉的炉体温度降至350℃,待炉体温度降至350℃之后取出纳米晶磁芯半成品;步骤五、将步骤四中取出的纳米晶磁芯半成品放置在横磁炉内;步骤六、温度由室温升温至400℃,并保温120min,同时在保温过程中进行加横磁处理,其中,横磁炉处施加的磁场强度为1300gs;步骤七、将横磁炉的炉温降至350℃,待横磁炉的炉温降至350℃之后,取出纳米晶磁芯成品。可以理解的,上述第一阶段的过程可描述为:首先,实验人员将待处理的纳米晶磁芯放置在真空炉内,之后对该真空炉进行抽真空处理,以保护真空炉内的纳米晶磁芯,防止其被氧化;然后。汕头纳米晶铁芯发展趋势
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