汕头供应低压MOS管规格尺寸

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了大多数的应用。 在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。汕头供应低压MOS管规格尺寸

什么是mos管 mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。 场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。相当普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。珠海直供低压MOS管厂家

MOS管发热情况： 1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的相当忌讳的错误。 2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于比较大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。 4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

3、额定电流 该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的比较大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的比较大电流，只需直接选择能承受这个比较大电流的器件便可。 4、导通损耗 在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而***变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。

5、系统散热 须考虑两种不同的情况，即相当坏情况和真实情况。建议采用针对相当坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于比较大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=比较大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的比较大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板及其MOS管的散热。 雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过比较大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，**终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。 6、开关性能 影响开关性能的参数有很多，但相当重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=（Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响比较大广东专业低压MOS管量大从优

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东莞市铭鳌电子科技有限公司是一家铭鳌电子科技（ESKY VISION）业务始于2013年，经过多年的快速发展，公司分别在香港、中国台湾设立了区域性的采购业务服务中心，并在苏州和广州建立起了配套的仓储物流中心。公司的目标是致力于打造一个***、快捷、灵活、有竞争力的现代化供应链体系，通过快捷交付、灵活反应，品质保证、价格合理，来为新老客户创造出巨大的价值。 多年以来，公司与众多国际**品牌建立了良好愉快的合作关系，以此为依托，公司始终致力于为国内消费电子、家用电器、医疗设备，通信技术、机械设备等行业提供电子元器件、工业零件等一站式增值供应服务，让客户更多专注于研发和产品制造。公司经销代理产品线：ST、NXP、TI、YAGEO、HEC、TDK、EPCOS、KEMET、Silan(士兰微) 、LRC(乐山无线) 、广州创天、CellWise、深爱、上海贝岭、新洁能等。的公司，致力于成为客户业务创新、电子元器件可信赖的合作伙伴。铭鳌电子拥有一支经验丰富、技术创新的专业研发团队，以高度的专注和执着为客户提供[ "电子元器件 ", "高、低压MOS", "二、三极管", "智能芯片" ]。公司终坚持自主研发创新发展理念，不断优化的技术、产品为客户带来效益，目前年营业额达到200-300万元。铭鳌电子创始人卢景珍，始终关注客户，以优化创新的科技，竭诚为客户提供比较好的服务。