汕头全新回收闪存芯片
4、按继电器的防护特征分类：
1）密封继电器：采用焊接或其他方法，将触点和线圈等密封在罩子内，与围介质相隔离，其泄漏率较低的继电器。 [5]
2）封闭式继电器：用罩壳将触点和线圈等密封（非密封）加以防护的继电器。 [5]
3）敞开式继电器：不用防护罩来保护触电和线圈等的继电器。 [5]
以上继电器在电子制作中**常用的是电磁继电器和干簧继电器两种。 [5]
继电器主要产品技术参数
①额定工作电压:是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。根据继电器的型号不同可以是交流电压，也可以是直流电压。[4]
②直流电阻:是指继电器中线圈的直流电阻，可以通过万用表测量。 [4]
③吸合电流:是指继电器能够产生吸合动作的**小电流。在正常使用时，给定的电流必须略大于吸合电流，这样继电器才能稳定地工作。而对于线圈所加的工作电压，一般不要超过额定工作电压的1.5倍，否则会产生较大的电流而把线圈烧毁。 [4]
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寻址寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。页数量前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。汕头全新回收闪存芯片
说明编辑
I/O0～I/O7:数据输入输出口, I/O口常用于指令和地址的输入以及数据的输入/输出,其中数据在
读的过程中输入。当芯片没有被选中或不能输出时, I/O口处于高阻态。
CLE:指令锁存端,用于***指令到指令寄存器的路径, 并在WE上升沿且CLE 为高电平时将指令锁存。
ALE: 地址锁存端, 用于***地址到内部地址寄存器的路径,并在WE上升沿且ALE为高电平时,地址锁存。
CE: 片选端, 用于控制设备的选择。当设备忙时, CE 为高电平而被忽略, 此时设备不能回到备用状态。
RE: 读使能端,用于控制数据的连续输出,并将数据送到I/ O 总线。只有在RE的下降沿时,输出数据才有效, 同时, 它还可以对内部数据地址进行累加。
WE: 写使能控制端, 用于控制I/O口的指令写入,同时,通过该端口可以在WE脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。
WP: 写保护端, 通过WP 端可在电源变换中进行写保护。当WP为低电平时,其内部高电平发生器将复位。
R/ B : 就绪/ 忙输出, R/ B 的输出能够显示设备的操作状态。R/ B 处于低电平时,表示有编程、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后, R/B会自动返回高电平。由于该端是漏极开路输出, 所以即使当芯片没有被选中或输出被禁止时, 它也不会处于高阻态。
分类回收闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有**的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
继电器测试
①测触点电阻:用万用表的电阻挡，测量常闭触点与动点电阻，其阻值应为0；而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区别出那个是常闭触点，那个是常开触点。 [4]
②测线圈电阻:可用万用表R×10挡测量继电器线圈的阻值，从而判断该线圈是否存在着开路现象。 [4]
③测量吸合电压和吸合电流：用可调稳压电源和电流表，给继电器输入一组电压，且在供电回路中串入电流表进行监测。慢慢调高电源电压，听到继电器吸合的声音时，记录吸合电压和吸合电流。为求准确，可以尝试多次求平均值。 [4]
④测量释放电压和释放电流:也是像上述那样连接测试，当继电器发生吸合后，再逐渐降低供电电压，当听到继电器再次发生释放声音时，记下此时的电压和电流，亦可尝试多次而取得平均的释放电压和释放电流。一般情况下，继电器的释放电压为吸合电压的10%~50%如果释放电压大小(小于1/10的吸合电压)，则不能正常使用，这样会对电路的稳定性造成威胁，使工作不可靠。[4] 汕头全新回收闪存芯片
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速度这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 汕头全新回收闪存芯片
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